FF800R12KL4CNOSA1 Datasheet FF800R12KL4CNOSA1 | P4-P6

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF800R12KL4C

IGBT-Module

IGBT-modules

preparedby:DTS

approvedby:TS

dateofpublication:2013-10-02

revision:3.1

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=125°C

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

V

GE

= 17 V

V

GE

= 15 V

V

GE

= 13 V

V

GE

= 11 V

V

GE

= 9 V

V

GE

= 7 V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)

transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

[V]

I

C

[A]

5 6 7 8 9 10 11 12

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=1.8Ω,R

Goff

=1.8Ω,V

CE

=600V

I

C

[A]

E [mJ]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

0

50

100

150

200

250

300

350

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

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SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=800A,V

CE

=600V

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 2 4 6 8 10 12

0

100

200

300

400

500

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/kW]

0,001 0,01 0,1 1 10

1

10

100

Z

thJC

: IGBT

i:

r

i

[K/kW]:

τ

i

[s]:

1

8,75

0,02

2

8,75

0,06

3

5

0,1

4

2,5

0,3

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=1.8Ω,T

vj

=125°C

V

CE

[V]

I

C

[A]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

I

F

=f(V

F

)

V

F

[V]

I

F

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

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revision:3.1

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=1.8Ω,V

CE

=600V

I

F

[A]

E [mJ]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

0

10

20

30

40

50

60

70

80

E

rec

, T

vj

= 125°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(R

G

)

I

F

=800A,V

CE

=600V

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 2 4 6 8 10 12

0

10

20

30

40

50

60

70

80

E

rec

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/kW]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,1

1

10

100

Z

thJC

: Diode

i:

r

i

[K/kW]:

τ

i

[s]:

1

14,7

0,02

2

14,7

0,06

3

8,4

0,1

4

4,2

0,3

FF800R12KL4CNOSA1

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