OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

D711N65TXPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D711N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
Seite/page 1/9
enndaten
Key Parameters
V
BO
/ V
RRM
5800 V / 6800 V
I
FAVM
770 A (T
C
=100 °C)
3570A (T
C
=55°C)
I
FSM
12500 A
V
T0
0,84 V
r
T
0,87 mΩ
R
thJC
28 K/kW
Clamping Force
10 … 16 kN
Max. Diameter
58,5 mm
Contact Diameter
34 mm
Height
26,4 mm
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Pulsed Power - Applikationen
Kurzschliesser Applikationen
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1 2
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D711N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
Seite/page 2/9
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
5800
6500
6000
6800
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 100 °C
I
FRMSM
1200
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100 °C
T
C
= 85 °C
T
C
= 55 °C
I
FAVM
770
880
1070
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
12500
10500
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
780
550
10³ A²s
10³ A²s
Spitzensperrverlustleistung
Surge reverse power dissipation
T
vj
= 25 °C, t
P
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 20 µs
P
RSM
80
90
10³ W
10³ W
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200 A
v
F
typ.
max.
1,77
1,9
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
0,79
0,84
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
max.
0,81
0,87
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 200A i
F
1600A
O-state characteristic
T
vj
= T
vj max
typ.
A
0,7
B
0,000438
C
-0,038
D
0,0234
max.
A
0,749
B
0,000469
C
-0,04065
D
0,025
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
50
mA
prepared by:
TM
date of publication:
2014-06-01
approved by:
JP
revision:
8.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D711N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
Seite/page 3/9
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
max.
5,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
I
RM
max.
200
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
4,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
I
RM
typ.
170
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
31,5
28,0
54,0
58,0
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
6,0
12,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
160
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
10...16
kN
Gewicht
weight
G
typ.
250
g
Kriechstrecke
creepage distance
30
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
P1-P3P4-P6P7-P9

D711N65TXPSA1

Mfr. #:
Buy D711N65TXPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet