BPW 34 S-Z

BPW 34

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing

Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing

BPW 34 S BPW 34 S (E9087)

2003-02-04 1

BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (E9087)

Wesentliche Merkmale

• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

von 400 nm bis 1100 nm

• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

• BPW 34 S/(E9087): geeignet für Vapor-Phase

Löten und IR-Reflow Löten (JEDEC level 4)

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Fernsteuerungen

• Industrieelektronik

• „Messen/Steuern/Regeln“

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPW 34 Q62702-P73

BPW 34 S Q62702-P1602

BPW 34 S (E9087) Q62702-P1790

Features

• Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

• Short switching time (typ. 20 ns)

• DIL plastic package with high packing density

• BPW 34 S/(E9087): suitable for vapor-phase

and IR-reflow soldering (JEDEC level 4)

Applications

• Photointerrupters

• IR remote controls

• Industrial electronics

• For control and drive circuits

2003-02-04 2

BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (E9087)

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

BPW 34

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

; T

stg

– 40 … + 100 – 40 … + 85 °C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

32 V

Verlustleistung,

T

A

= 25 °C

Total power dissipation

P

tot

150 mW

Kennwerte (

T

A

= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (

T

A

= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit,

V

R

= 5 V

Spectral sensitivity

S

80 (≥ 50) nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max2003-02-04

850 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10% of S

max

λ 400 … 1100 nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A 7.00 mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L × B

L

× W

2.65 × 2.65 mm × mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ±60 Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

R

= 10 V

Dark current

I

R

2 (≤ 30) nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity

S

λ

0.62 A/W

Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield

η 0.90 Electrons

Photon

BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (E9087)

2003-02-04 3

Leerlaufspannung, E

v

= 1000 Ix

Open-circuit voltage

V

O

365 (≥ 300) mV

Kurzschlußstrom,

E

v

= 1000 Ix

Short-circuit current

I

SC

80 µA

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

R

L

= 50 Ω; V

R

= 5 V; λ = 850 nm; I

p

= 800 µA

t

r

, t

f

20 ns

Durchlaßspannung,

I

F

= 100 mA, E = 0

Forward voltage

V

F

1.3 V

Kapazität,

V

R

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

C

0

72 pF

Temperaturkoeffizient von

V

O

Temperature coefficient of V

O

TC

V

– 2.6 mV/K

Temperaturkoeffizient von

I

SC

Temperature coefficient of I

SC

TC

I

0.18 %/K

Rauschäquivalente Strahlungsleistung

Noise equivalent power

V

R

= 10 V, λ = 850 nm

NEP

4.1 × 10

– 14

Nachweisgrenze, V

R

= 10 V, λ = 850 nm

Detection limit

D* 6.6 × 10

12

Kennwerte (T

A

= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (

T

A

= 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

W

Hz

------------

cm Hz×

W

--------------------------

BPW 34 S-Z

Mfr. #:

Manufacturer:

OSRAM Opto Semiconductors

Description:

Photodiodes PHOTODIODE, SMT

Lifecycle:

New from this manufacturer.

Delivery:

DHL FedEx Ups TNT EMS

Payment:

T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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