2004 Jan 14 4
NXP Semiconductors Product data sheet
Low-voltage avalanche regulator diodes PLVA6xxA series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25 °C; unless otherwise specified.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
V
F
forward voltage I
F
= 10 mA − − 0.9 V
V
Z
working voltage I
Z
= 250 μA
PLVA650A 4.80 5.00 5.20 V
PLVA653A 5.10 5.30 5.50 V
PLVA656A 5.40 5.60 5.80 V
PLVA659A 5.70 5.90 6.10 V
PLVA662A 6.00 6.20 6.40 V
PLVA665A 6.30 6.50 6.70 V
PLVA668A 6.60 6.80 7.00 V
V
Z
working voltage I
Z
= 10 μA
PLVA650A − 4.30 − V
PLVA653A − 5.20 − V
PLVA656A − 5.51 − V
PLVA659A − 5.85 − V
PLVA662A − 6.19 − V
PLVA665A − 6.49 − V
PLVA668A − 6.80 − V
R
Z
dynamic resistance 1 kHz superimposed;
I
ZAC
is 10% of I
ZDC
; I
Z
= 250 μA
PLVA650A − − 700 Ω
PLVA653A − − 250 Ω
PLVA656A to PLVA668A − − 100 Ω
S
Z
temperature coefficient I
Z
= 250 μA
PLVA650A − 0.20 − mV/K
PLVA653A − 1.60 − mV/K
PLVA656A − 1.90 − mV/K
PLVA659A − 2.40 − mV/K
PLVA662A − 2.65 − mV/K
PLVA665A − 2.90 − mV/K
PLVA668A − 3.40 − mV/K
I
R
reverse current V
R
= 80% V
Z
nominal
PLVA650A − − 20 000 nA
PLVA653A − − 5 000 nA
PLVA656A − − 1 000 nA
PLVA659A − − 500 nA
PLVA662A − − 100 nA
PLVA665A − − 50 nA
PLVA668A − − 10 nA
