T580N04TOFXPSA1

N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T580N
IFBIP D AEC / 2009-11-30, H.Sandmann
A
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enndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
200
400
600
V
V
V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
200
400
600
V
V
V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
250
450
650
V
V
V
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
800 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85 °C
I
TAVM
568 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
P
= 10 ms I
TAVM
780 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMS
1220 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
6300
5500
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
198
151
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 0,6 A,
di
G
/dt = 0,6 A/µs
(di
T
/dt)
cr
200 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1500 A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 500A
v
T
max.
max.
1,63
1,12
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,0 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,4 m
Durchlasskennlinie 100 A i
T
2800 A
on-state characteristic
T
TTT
iD1)i(lnCiBAv ++++=
T
vj
= T
vj max
A=
B=
C=
D=
8,819E-01
6,172E-05
-8,686E-02
3,321E-02
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V I
GT
max. 150 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V V
GT
max. 1,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
5
2,5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V I
H
max. 200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs,
t
g
= 20 µs
I
L
max. 620 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max. 30 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 0,6 A,
di
G
/dt = 0,6 A/µs
t
gd
max. 3 µs
prepared by:
H.Sandmann date of publication: 2009-11-30
approved by: M.Leifeld
revision: 3.1
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ. 200 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,062
0,055
0,092
0,085
0,162
0,155
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti
g
/ sin
g
le-sides
R
thCH
max.
max.
0,015
0,030
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F 3...6 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5
Ø 1,5
A 4,8x0,5
mm
mm
mm
Gewicht
weight
G typ. 70 g
Kriechstrecke
creepage distance
6 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Phase Control Thyristor
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Massbild
12
4 5
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode

T580N04TOFXPSA1

Mfr. #:
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 600V 800A DO200AA
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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