OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

BC807-40W,115

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P15P16-P18P19-P20
BC807_BC807W_BC327_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 6 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Selection -16: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. Selection -25: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Selection -40: DC current gain as a function of collector current; typical values
006aaa119
200
100
300
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa120
400
200
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa121
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
BC807_BC807W_BC327_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 7 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 4. Selection -16: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 5. Selection -25: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 6. Selection -40: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa122
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa123
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa124
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
BC807_BC807W_BC327_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 8 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Selection -16: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 8. Selection- 25: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 9. Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa125
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa126
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa127
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P15P16-P18P19-P20

BC807-40W,115

Mfr. #:
Buy BC807-40W,115
Manufacturer:
Nexperia
Description:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet