OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

SFH 4881

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
2008-02-25 1
2008-02-25
Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package
IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse
Version 1.0
SFH 4881
SFH 4881
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode is electrically connected to the case • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• High reliability • Hohe Zuverlässigkeit
• Matches all Si-Photodetectors • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
• Hermetically sealed package • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
• IR remote control • IR-Gerätefernsteuerung
•Sensor technology •Sensorik
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4881 72 (̟ 40) Q62702P5302
2008-02-25 2
Version 1.0 SFH 4881
Maximum Ratings (T
C
= 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 100 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
5V
Forward current
Durchlassstrom
I
F
200 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
̞ 10 ǹs, D = 0.01)
I
FSM
2.5 A
Total power dissipation
Verlustleistung
P
tot
470 mW
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
R
thJA
450 K / W
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
R
thJC
160 K / W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Ǹ
peak
880 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
ǎǸ 80 nm
Half angle
Halbwinkel
Ȅ ± 5 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
A0.16mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 0.4 x 0.4 mm x
mm
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 ǣ)
t
r
, t
f
500 ns
Version 1.0 SFH 4881
2008-02-25 3
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
C
0
25 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
V
F
1.5 (̞ 1.8) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 ǹs)
V
F
2.4 (̞ 3) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1.5 A, t
p
= 100 ǹs)
V
F
2.9 (̞ 3.4) V
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
I
R
0.01 (̞ 10) μA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Ǡ
e
12 mW
Temperature coefficient of I
e
or Ǡ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Ǡ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
TC
I
-0.5 % / K
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
TC
V
-2 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
TC
Ǹ
0.25 nm / K
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

SFH 4881

Mfr. #:
Buy SFH 4881
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Infrared Emitters GaAlAs 880nm MTL CAN HALF ANGLE +/-5DEG
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet