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T901N32TOFXPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T901N
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 7.0
Seite/page: 1/11
enndaten
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
32
I
TAVM
940A (T
C
=85°C)
3570A (T
C
=55°C)
I
TSM
19000A
v
T0
1,16V
r
T
0,
R
thJC
17,0K/kW
Clamping Force

Max. Diameter
76mm
Contact Diameter
50mm
Height
26mm
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Typische Anwendungen
Sanftanlasser
Softstarter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for Drives Applications
Mittelspannungsumrichter
Medium Voltage Drives
Lastgeführte Umrichter
Load Commutating Inverter
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar Applications
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class
23..26
4
QR class
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1
2
4
5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T901N
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 7.0
Seite/page: 2/11
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
3200
3400
3600
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 85 °C
I
TRMSM
1480
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 55 °C
I
TAVM
940
1160
1350
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
19000
17000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
1805
1445
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
(di
T
/dt)
cr
300
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter H
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1200A
v
T
typ.
Max.
1,5
1,75
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
1
1,16
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
Max.
0,413
0,494
m
m
Durchlaßkennlinie 100A i
F
1500A
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
typ.
A
-0,0764
B
0,00032
C
0,165
D
0,000816
max.
A
-0,0802
B
0,00045
C
0,2085
D
-0,00524
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
max.
350
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
V
GT
max.
2,5
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,4
V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
H
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK

i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs, t
g
= 20 µs
I
L
max.
3
A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
200
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
t
gd
max.
2
µs
prepared by:
TM
date of publication:
2011-05-02
approved by:
JP
revision:
7.0
T
TTT
iD)1i(LnCiBAv
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T901N
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 7.0
Seite/page: 3/11
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
300
µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
Q
r
max.
7,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
I
RM
max.
220
A
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
18,5
17,0
30,5
38,5
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
4,0
8,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
15...24
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
550
g
Kriechstrecke
creepage distance
25
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

T901N32TOFXPSA1

Mfr. #:
Buy T901N32TOFXPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE
Lifecycle:
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