SANKEN ELECTRIC CO., LTD. FMB-2204
041220 1／4
61426-01
１ 適用範囲
Scope
この規格は、FMB-2204 について適用する。
The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, FMB-2204.
２ 概要
Outline
種 別
Type
ショットキーバリアダイオード
Silicon Schottky Barrier Diode
構 造
Structure
樹脂封止型 不燃化度：規格 UL94V-0 相当品
Resin Molded Flammability: UL94V-0 (Equivalent)
主 用 途
Applications
高周波整流
High Frequency Rectification
３ 絶対最大定格
Absolute maximum ratings
No.
項 目
Item
記号
Symbol
単位
Unit
定 格
Rating
条 件
Conditions
1
ピーク非繰返し逆電圧
Transient Peak Reverse Voltage
V
RSM
V 40
2
ピーク繰返し逆電圧
Peak Reverse Voltage
V
RM
V 40
3
平均順電流
Average Forward Current
I
F(AV)
A 20
減定格 6 項参照
Refer to Derating of 6
4
サージ順電流
Peak Surge Forward Current
I
FSM
A 150
10msec.正弦半波単発
Half sinewave, one shot
5
I
2
t 限界値
I
2
t Limiting Value
I
2
t A
2
s 112
1msec≦t≦10msec
6
接合部温度
Junction Temperature
T
j
℃ -40∼+150
7
保存温度
Storage Temperature
T
stg
℃ -40∼+150
No.1,2,4,5 は一素子当たりの定格を示す。
No.1,2,4&5 show ratings per one chip.
４ 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。)
Electrical characteristics (Ta=25℃ ，unless otherwise specified)
No.
項 目
Item
記号
Symbol
単位
Unit
特 性
Value
条 件
Conditions
1
順方向降下電圧
Forward Voltage Drop
V
F
V 0.55 max. I
F
=10A
2
逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current
I
R
mA 10 max. V
R
=V
RM
3
高温逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
H･I
R
mA 350 max.
V
R
=V
RM
, T
j
=150℃
4
熱抵抗
Thermal Resistance
R
th(j-c)
℃/W
4.0 max.
接合部−裏面取付穴周辺部間
Between Junction and case
No.1,2,3 は一素子当たりの特性を示す。
No.1,2,&3 show characteristics per one chip.
