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BYM300B170DN2HOSA1

P1-P3P4-P5
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Sperrspannung der Diode
Diode rerverse voltage
T
vj
= 25°C V
CES
1700 V
Dauergleichstrom
DC forward current
T
C
= 80 °C I
F
300 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp = 1 ms
I
FRM
600 A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
23,5
k A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4,0 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min. typ. max.
Durchlaßspannung
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
- 2,2 2,6 V
forward voltage
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-2-V
Rückstromspitze
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
peak reverse recovery current
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C I
RM
- 220 - A
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
- 330 - A
Sperrverzögerungsladung
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
recovered charge
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C Q
r
- 34 - µAs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
- 75 - µAs
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
reverse recovery energy
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C E
rec
- 16 - mWs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
- 31 - mWs
prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 2002-11-25
approved by: Christoph Lübke revision: 2.2
V
F
1(4)
DB_BYM300B170DN2_2.2.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
l
Paste
= 1 W/m*K / l
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
- 0,012 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
- - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vjop
-40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
20 mm
Luftstrecke
clearance
11 mm
CTI
comperative tracking index
425
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
G 340 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Anschlüsse / terminals M6
M-Nm
Nm-M
Schraube / screw M6 3 6
K/WDiode/Diode, DC
R
thJC
--
25
0,120
2(4)
DB_BYM300B170DN2_2.2.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
I
F
[A]
V
F
[V]
Ü
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
3(4)
DB_BYM300B170DN2_2.2.xls
P1-P3P4-P5

BYM300B170DN2HOSA1

Mfr. #:
Buy BYM300B170DN2HOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
MOD IGBT MED POWER 62MM-1
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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