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DDB6U104N16RRBOSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max V
RRM
1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
FRMSM
60 A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100°C
I
d
105 A
output current
Stoßstrom-Grenzwert T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms I
FSM
650 A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
550 A
Grenzlastintegral T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms I²t 2100 A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1500 A²s
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
CES
1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80°C
I
C
50 A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
CRM
100 A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25°C
P
tot
350 W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V
GE
± 20 V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung V
RRM
1200 V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
T
C
= 80°C
I
F
25 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
FRM
50 A
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
2,5 kV
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max.
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
v
F
1,30 V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max V
(TO)
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max r
T
5,5 mΩ
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM i
R
5 mA
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
T
C
= 25°C
R
AA`+KK`
1 mΩ
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12)
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
T
vj
= 25°C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
v
CE sat
2,10 2,80 V
collector-emitter saturation voltage
T
vj
= 125°C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
2,5
Gate-Emitter-Schwellspannung
T
vj
= 25°C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE v
GE(TO)
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität
T
vj
= 25°C, f
0
= 1MHz,
C
ies
3,3 nF
input capacitance
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
T
vj
= 25°C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
i
CES
0,8 1 mA
collector-emitter cut-off current
T
vj
= 125°C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
4,0
Gate-Emitter Reststrom
T
vj
= 25°C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
i
GES
500 nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
T
vj
= 25°C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
i
EGS
500 nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
T
vj
= 25°C, i
F
= 25A
v
F
1,7 2,20 V
forward voltage
T
vj
= 125°C, i
F
= 25A
1,6
Sperrverzögerungsladung
i
FM
= 25A, -di/dt = 800A/µs, v
R
= 600V
Q
r
recovered charge
T
vj
= 25°C
2,3 µAs
T
vj
= 125°C
6,0 µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
R
thJC
max. 1,08 °C/W
Transistor / Transistor, DC
max. 0,38 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC
max. 1,00 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier
R
thCK
max. 0,25 °C/W
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor
max. 0,24 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode
max. 0,30 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
vj max
150 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
c op
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur T
stg
- 40...+150 °C
storage temperature
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4
Innere Isolation Al
2
O
3
internal insulation
CTI 225 V
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
T
C
= 25°C
R
25
5 kΩ
rated resistance
R
100
= 493Ω ± 5%
Verlustleistung
T
C
= 25°C
P
25
max. 20 mW
power dissipation
B-Wert
R
2
= R
1
exp [B(1/T
1
- 1/T
2
)]
B
25/50
3375 K
B-value
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 3(12)
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12

DDB6U104N16RRBOSA1

Mfr. #:
Buy DDB6U104N16RRBOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE MODULE GP 1600V 25A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
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Payment:
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