SANKEN ELECTRIC CO., LTD. FMN-G14S
040812 1／4
61426-01
１ 適用範囲
Scope
この規格は、FMN-G14S について適用する。
The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, FMN-G14S.
２ 概要
Outline
種 別
Type
拡散型シリコン整流素子
Silicon Rectifier Diode
構 造
Structure
樹脂封止型 不燃化度：規格 UL94V - 0 相当品
Resin Molded Flammability : UL94V-0 (Equivalent)
主 用 途
Applications
高周波整流用
High Frequency Rectification
３ 絶対最大定格
Absolute maximum ratings
No.
項 目
Item
記号
Symbol
単位
Unit
定 格
Rating
条 件
Conditions
1
ピーク非繰返し逆電圧
Transient Peak Reverse Voltage
V
RSM
V 400
2
ピーク繰返し逆電圧
Peak Reverse Voltage
V
RM
V 400
3
平均順電流
Average Forward Current
I
F(AV)
A 5.0
Tc=121℃, Sinewave
4
サージ順電流
Peak Surge Forward Current
I
FSM
A 70
10msec.正弦半波単発
Half sinewave, one shot
5
I
t 限界値
I
2
t Limiting Value
I
2
t A
2
s 24.5
1msec≦t≦10msec
6
接合部温度
Junction Temperature
T
j
℃
-40~+150
7
保存温度
Storage Temperature
T
stg
℃
-40~+150
8
絶縁耐圧
Dielectric Strength
ｋV
A.C. 1.0
リード･ケース間(1 分間)
Junction and case(1 minute)
４ 電気的特性 (特に指定の無い場合は、25℃とする。)
Electrical characteristics (Ta=25℃, unless otherwise specified)
No
項 目
Item
記号
Symbol
単位
Unit
特 性
Value
条 件
Conditions
1
順方向降下電圧
Forward Voltage Drop
V
F
V 1.0 max. I
F
=5.0A
2
逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current
I
R
µA 50 max. V
R
=V
RM
3
高温逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
H･I
R
mA 10 max.
V
R
=V
RM
, T
j
=150℃
4
逆方向回復時間
Reverse Recovery Time
trr1 ns 100 max.
I
F
=I
R
=500mA, 90%回復点
T
=25℃ 90% Recovery point
trr2 ns 50 max.
I
F
=500mA, I
R
=1A, 75%回復点
T
=25℃ 75% Recovery point
5
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-c)
℃/W
4.0 max.
接合部−ケース間
Between Junction and case
