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TD600N16KOFTIMHPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT600N16KOF
Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.3
7/11
Seite/page
Gehäusetemperatur bei Rechteck
0
200
400
600
800
1000
1200
0 200 400 600 800 1000
P
TAV
[W]
I
TAV
[A]
DC
180 rec
120 rec
90rec
60rec
Q = 30rec
180 sin
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
20
40
60
80
100
120
140
0 200 400 600 800 1000
T
C
[°C]
I
TAVM
[A]
DC
Q = 30rec
60rec
90 rec
120 rec
180 rec
180 sin
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT600N16KOF
Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.3
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1000
1500
2000
2500
3000
3500
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
R
thCA
[K/W]
0,18
0,20
0,25
0,12
0,08
0,15
+
-
B2
I
D
~
0,06
0,10
0,18
0,30
0,40
0,80
0,60
1,20
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
D
[A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
0,15
0,20
0,10
1,20,
0,12
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
0,40
0,60
0,06
0,30
0,25
,
0,08
0,18
1,20
0,80
0 400 800 1200 1600 2000
I
D
[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
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TT600N16KOF
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1250
1500
1750
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
R
thCA
K/W]
0,20
0,15
0,60
1,00
0,06
0,30
0,40
0,06
0,08
~
~
I
RMS
W 1C
0,30
0,02
0,40
0,10
2,00
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0
1000
2000
3000
4000
5000
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
~
~
W 3C
~
~
I
RMS
~
~
0,20
0,15
0,40
1,00
0,60
0,03
0,04
0,06
0,08
0,50
0,02
0,30
0,10
2,00
R
thCA
[K/W]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

TD600N16KOFTIMHPSA1

Mfr. #:
Buy TD600N16KOFTIMHPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
Discrete Semiconductor Modules BOND MODULE
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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