PBLS2022D_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 6 September 2009 9 of 16
NXP Semiconductors
PBLS2022D
20 V, 1.8 A PNP BISS loadswitch
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 10. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 11. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
Fig 12. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
006aab515
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aab516
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aab517
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aab518
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(3)
(2)
