OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

FF150R17ME3GBOSA1

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF150R17ME3G
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
50
100
150
200
250
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
50
100
150
200
250
300
V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 12 V
V
GE
= 10 V
V
GE
= 9 V
V
GE
= 8 V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
50
100
150
200
250
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=9.1Ω,R
Goff
=9.1Ω,V
CE
=900V
I
C
[A]
E [mJ]
0 50 100 150 200 250 300
0
25
50
75
100
125
150
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF150R17ME3G
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=150A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
50
100
150
200
250
300
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,012
0,01
2
0,036
0,04
3
0,048
0,06
4
0,024
0,3
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=9.1Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
50
100
150
200
250
300
350
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
50
100
150
200
250
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF150R17ME3G
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=9.1Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 50 100 150 200 250 300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=150A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,021
0,01
2
0,063
0,04
3
0,084
0,06
4
0,042
0,2
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
T
C
[°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
R
typ
P1-P3P4-P6P7-P8

FF150R17ME3GBOSA1

Mfr. #:
Buy FF150R17ME3GBOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet