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T570N65TOFXPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T570N
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 1/11
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
6500 V
I
TAVM
540 A (T
C
=85°C)
3570A (T
C
=55°C)
I
TSM
10500 A
V
T0
1,35 V
r
T
1,4 
R
thJC
21 K/kW
Clamping Force
kN
Max. Diameter
76 mm
Contact Diameter
50 mm
Height
26 mm
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hohe Einschaltfähigkeit di/dt
Typische Anwendungen
Mittelspannungssanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1
2
4
5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T570N
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 2/11
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
T
vj
= 25°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
6500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 85 °C
I
TRMSM
850
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 55 °C
I
TAVM
540
660
760
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
10500
9400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
551,25
441,8
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
(di
T
/dt)
cr
150
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000A
v
T
max.
2,75
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
max.
1,35
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
max.
1,4
m
Durchlaßkennlinie 100A i
T
2700A
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
max.
A
-0,3296
B
0,001724
C
0,4376
D
-0,05275
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
max.
350
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
V
GT
max.
2,5
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,4
V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
H
max.
350
mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK

i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs, t
g
= 20 µs
I
L
max.
3
A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
400
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
t
gd
max.
2,5
µs
prepared by:
TM
date of publication:
2014-06-18
approved by:
JP
revision:
2.3
T
TTT
iD)1i(LnCiBAv
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T570N
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 3/11
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
1000
µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
i
TM
= 2 I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 3000V, V
RM

RRM
R=83; C=0,44µF
Q
r
max.
6,2
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
T
vj
= T
vj max
i
TM
= 2 I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 3000V, V
RM

RRM
R=83; C=0,44µF
I
RM
max.
190
A
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
23,0
21,0
37,5
48,0
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
5,0
10,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
133
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
Ø 1,5x3,2
A 2,8x0,5
A 4,8x0,5
mm
mm
mm
Gewicht
weight
G
typ.
550
g
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

T570N65TOFXPSA1

Mfr. #:
Buy T570N65TOFXPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 6500V 850A DO200AC
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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