2014-03-10 1
2014-03-10
Narrow beam LED in Dragon Dome package (850nm)
Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm)
Version 1.3
SFH 4783
Features: Besondere Merkmale:
IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 11 K/W)
Centroid wavelength 850 nm Schwerpunktwellenlänge 850 nm
ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001-HBM, Class 2
ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001- HBM, Klasse 2
Narrow half angle (+/- 12°) Enger Abstrahlwinkel (+/- 12°)
Applications Anwendungen
Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras
Machine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
Surveillance systems Überwachungssysteme
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.3 SFH 4783
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4783 2300 (̟ 1250) Q65111A4329
Note: measured at a solid angle of ǣ = 0.001 sr
Anm.: gemessen bei einem Raumwinkel ǣ = 0.001 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 100 °C
Junction temperature
Sperrschichttemperatur
T
j
125 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
1V
Forward current
Durchlassstrom
I
F
1000 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
̞ 1.5 ms, D = 0)
I
FSM
2A
Power consumption
Leistungsaufnahme
P
tot
2.1 W
Thermal resistance junction - solder point
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad
R
thJS
11 K / W
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
V
ESD
2kV
Note: For the forward current and power consumption please see "maximum permissible forward current"
diagram
Anm.
:
r den Vorrtsgleichstrom und die Leistungsaufnahme siehe auch das "maximal zulässige
Durchlassstrom" Diagramm
Version 1.3 SFH 4783
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Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Peak wavelength
Emissionswellenlänge
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
Ǹ
peak
860 nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
Ǹ
centroid
850 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
ǎǸ 30 nm
Half angle
Halbwinkel
Ȅ ± 12 °
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 1 x 1 mm x
mm
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 2 A, R
L
= 50 ǣ)
t
r
/ t
f
11/14 ns
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 μs)
V
F
1.65 (̞ 2.1) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 2 A, t
p
= 100 ǹs)
V
F
1.9 (̞ 2.5) V
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 1A, t
p
= 100 μs)
Ǡ
e
430 mW
Temperature coefficient of I
e
or Ǡ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Ǡ
e
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
I
-0.3 % / K
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
V
-1 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
Ǹ
0.3 nm / K

SFH 4783

Mfr. #:
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Infrared Emitters - High Power IR, 850nm
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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