FD 600 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
C
600 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t
p
=1 ms I
CRM
1200 A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation t
C
=25°C, Transistor /transistor P
tot
3900 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
GE
± 20 V
Dauergleichstrom DC forward current I
F
600 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t
p
=1ms I
FRM
1200 A
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage i
C
=600A, v
GE
=15V, t
vj
=25°C v
CE sat
- 2,7 3,2 V
i
C
=600A, v
GE
=15V, t
vj
=125°C - 3,3 3,9 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage i
C
=24mA, v
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C v
GE(th)
4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität input capacity f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V C
ies
- 45 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current v
CE
=1200V, v
GE
=0V, t
vj
=25°C i
CES
- 8 - mA
v
CE
=1200V, v
GE
=0V, t
vj
=125°C - 50 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25°C i
GES
- - 400 nA
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current v
CE
=0V, v
EG
=20V, t
vj
=25°C i
EGS
- - 400 nA
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
= 25°C t
on
- 0,7 - µs
i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
=125°C - 0,8 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
= 25°C t
s
- 0,9 - µs
i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
=125°C - 1,0 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
= 25°C t
f
- 0,10 - µs
i
C
=600A,v
CE
=600V,v
L
=±15V,R
G
=1,6 ,t
vj
=125°C - 0,15 - µs
Einschaltverlustenergie pro puls turn-on energie per pulse i
C
=600A, v
CE
=600V, L
s
=70nH E
on
v
L
=±15V, R
G
=1,6 , t
vj
=125°C - 90 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energie loss per pulse i
C
=600A, v
CE
=600V, L
s
=70nH E
off
v
L
=±15V, R
G
=1,6 , t
vj
=125°C - 90 - mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage i
F
=600A, v
GE
=0V, t
vj
=25°C v
F
- 2,2 2,7 V
i
F
=600A, v
GE
=0V, t
vj
=125°C - 2,0 2,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current i
F
=600A, v
RM
=600V, v
EG
= 10V I
RM
-di
F
/dt = 3,0 kA/µs, t
vj
= 25°C - 200 - A
-di
F
/dt = 3,0 kA/µs, t
vj
= 125°C - 350 - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge i
F
=600A, v
RM
=600V, v
EG
= 10V Q
r
-di
F
/dt = 3,0 kA/µs, t
vj
= 25°C - 25 - µAs
-di
F
/dt = 3,0 kA/µs, t
vj
= 125°C - 75 - µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R
thJC
0,016 °C/W
Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,032 °C/W
Diode, DC, pro Modul/per module 0,032 °C/W
Diode, DC, pro Zweig/per arm 0,064 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module R
thCK
0,008 °C/W
pro Zweig / per arm 0,016 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Modul / per Module t
vj max
150 °C
Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t
c op
-40...+150 °C
Lagertemperatur storage temperature t
stg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite / page 1
Innere Isolation internal insulation AI
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 /
tolerance +/-15%
M1 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 /
tolerance +/-15%
M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 µs V
CC
= 750 V
v
L
= ±15 V v
CEM
= 900 V
R
GF
= R
GR
= 1,6 i
CMK1
5000 A
t
vj
= 125°C
i
CMK2
4000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
CEM
= V
CES
- 20nH x |di
c
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
v
