D970N06TXPSA1

N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D970N
IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann
A 11/10 1/8
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
400
600
800
V
V
V 1)
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM
1245 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100 °C I
FAVM
970
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
P
= 10 ms I
FAVM
1300 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
FRMS
2040 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
t
P
= 10 ms
I
FSM
10300
8800
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t 530,45
387,2
10³A²s
10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2,3 kA
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 750 A
v
F
max.
max.
1,45
0,97
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,7 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,31
m
Durchlaßkennlinie 200 A i
F
4000 A
on-state characteristic
F
FFF
iD)1i(lnCiBAv ++++=
T
vj
= T
vj max
A=
B=
C=
D=
4,891E-01
1,323E-04
2,391E-03
1,340E-02
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
20 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,057
0,053
0,094
0,090
0,134
0,130
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
0,015
0,030
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
180
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+180 °C
1) 800V auf Anfrage / 800V on request
prepared by:
H.Sandmann date of publication: 2010-01-25
approved by: M.Leifeld
revision: 3.1
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F 3,8...7,6 kN
Gewicht
weight
G typ. 75 g
Kriechstrecke
creepage distance
10 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Maßbild
Maßbild
12
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode

D970N06TXPSA1

Mfr. #:
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE GEN PURP 600V 970A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
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