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FS15R12VT3BOMA1

P1-P3P4-P6P7-P7
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS15R12VT3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:DPK
approvedby:IG
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=15A,V
CE
=600V
R
G
[Ω]
E [mJ]
50 140 230 320 410 500 590 680
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
10
Z
thJH
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,144
0,00045
2
0,38
0,01
3
1,064
0,1198
4
0,342
0,178
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=62Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS15R12VT3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:DPK
approvedby:IG
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=62Ω,V
CE
=600V
I
F
[A]
E [mJ]
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
1,50
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=15A,V
CE
=600V
R
G
[Ω]
E [mJ]
50 140 230 320 410 500 590 680
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
10
Z
thJH
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,156
0,00032
2
0,52
0,00544
3
1,456
0,10799
4
0,468
0,146
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS15R12VT3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:DPK
approvedby:IG
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
I n f in e o n
P1-P3P4-P6P7-P7

FS15R12VT3BOMA1

Mfr. #:
Buy FS15R12VT3BOMA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE VCES 600V 15A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
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Payment:
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