DD82S08KHPSA1

Marketing Information
DD 82 S
March 1998
AK K A
M5x11 Z4-1
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
20
92
20
80
15,5
DD 82 S
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
RRM
100 600 800
1000
V
Stoßspitzenspannung non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
RSM
= V
RRM
100 600 800
1000
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current
I
FRMSM
150 A
Dauergrenzstrom average forward current
t
c
= 100°C I
FAVM
81 A
t
c
= 88°C
96 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current
t
vj
45°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
2300 A
t
vj
150°C, t
p
= 10 ms
1900 A
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
45°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
26450
A
2
s
t
vj
150°C, t
p
= 10 ms
18050
A
2
s
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung forward voltage
t
vj
= 150°C, i
F
= 300 A v
F
max. 1,55 V
Schleusenspannung threshold voltage
V
(TO)
1,0 V
Ersatzwiderstand slope resistance
r
T
1,7
m
Sperrstrom reverse current
t
vj
= 150°C, v
R
= V
RRM
i
R
40 mA
Nachlaufladung lag charge
i
FM
= 120 A, -di
F
/dt = 100 A/µs Q
S
25 µAs
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5 kV
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module
R
thJC
0,235 °C/W
to case pro Zweig/per arm 0,47 °C/W
DC: pro Modul/per module 0,240 °C/W
pro Zweig/per arm 0,480 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
R
thCK
0,08 °C/W
pro Zweig/per arm 0,16 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
t
vj max
150 °C
Betriebstemperatur operating temperature
t
c op
-40...+150 °C
Lagertemperatur storage temperature
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Innere Isolation internal insulation AIN
Anzugsdrehmomente tightening torques
mechanische Befestigung mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 4 Nm
elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 4 Nm
Gewicht weight G typ. 200 g
Kriechstrecke creepage distance 14 mm
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz
5 9,81
m/s²
DD 82 S
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Σ
n=1
Z
thJC
= R
thn
(1-e )
t
-
τ
n
0,0102 0,0329 0,0805 0,0741 0,072
0,00112 0,0175 0,322 1,21 7,5
0.56
0.64
0.48
0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
0
T [s]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Z
(th) JC
[
°
C/W]
DD 82 S/3
1.
2.
3.
4.
5.
1. Konstantstrom
2. Sinus, F=50Hz, Stromflußwinkel: 180°
3. Rechteck, F=50Hz, Stromflußwinkel: 180°
4. Rechteck, F=50Hz, Stromflußwinkel: 120°
5. Rechteck, F=50Hz, Stromflußwinkel: 60°
Bild / Fig. 3
Transienter innerer Wärmewiderstand Z
thJC
für einen Zweig
bei sinus- und trapezförmigem Stromverlauf
Transient thermal impedance Z
thJC
, junction to case per arm
at sinussoidal and trapezoidal waveform.
0
DD 82 S/1
50
100
150
200
250
Q
r
[
µAs
]
-di
F
/dt
[
A/µs
]
100
300
200
10 A
20 A
40 A
80 A
160 A
320 A
640 A
I
FM
= 1280 A
0
DD 82 S/2
50
100
150
200 250
I
RM
[
A
]
-di
F
/dt
[
A/µs
]
100
300
200
10 A
20 A
40 A
80 A
160 A
320 A
640 A
I
FM
= 1280 A
Bild / Fig. 2
Rückstromspitze I
RM
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Peak reverse recovery current I
RM
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
,
v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current I
TM
Bild / Fig. 1
Sperrverzögerungsladung Q
r
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
,
v
RM
= 0,8 V
RRM
/
Recovered charge Q
r
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
,
v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current I
FM

DD82S08KHPSA1

Mfr. #:
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE ARRAY MOD 100V 150A
Lifecycle:
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