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DZ3600S17K3B2NOSA1

P1-P3P4-P5
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DZ3600S17K3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryDataDiode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C V
RRM
1700 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
3600 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms I
FRM
7200 A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C I²t 1500 kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 3600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 3600 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,80
1,90
2,20
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 3600 A, - di
F
/dt = 15000 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
I
RM
3050
3300
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 3600 A, - di
F
/dt = 15000 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
Q
r
875
1450
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 3600 A, - di
F
/dt = 15000 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
E
rec
575
1000
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode R
thJC
14,0 K/kW
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
6,00 K/kW
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40 125 °C
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DZ3600S17K3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V
ISOL
4,0 kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI > 400
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proModul/permodule
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
6,00 K/kW
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
L
sCE
10 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch R
AA'+CC'
0,12 mΩ
Lagertemperatur
Storagetemperature
T
stg
-40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M 4,25 - 5,75 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
Gewicht
Weight
G 1500 g
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DZ3600S17K3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
4200
4800
5400
6000
6600
7200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=3600A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,1
1
10
100
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
2,8
0,01
2
2,8
0,04
3
5,6
0,09
4
2,8
0,2
P1-P3P4-P5

DZ3600S17K3B2NOSA1

Mfr. #:
Buy DZ3600S17K3B2NOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE 1700V 3600V
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
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