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TT251N16KOFHPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
7/10
Seite/page
Gehäusetemperatur bei Rechteck
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
P
TAV
[W]
I
TAV
[A]
DC
180rec
120rec
90rec
60rec
Q = 30rec
180sin
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
20
40
60
80
100
120
140
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T
C
[°C]
I
TAVM
[A]
DC
Q = 30rec
60rec
90rec
120rec
180rec
180sin
Q = 30rec
120rec
120rec
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)

Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
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0,12
0,16
0,20
0,24
0,32
0,40
0,48
0,60
0,80
1,20
1,60
2,40
2,40
0
400
800
1200
1600
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
R
thCA
[K/W]
0,18
+
-
B2
I
D
~
1,20
0 100 200 300 400 500 600
I
D
[A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,12
0,18
0,24
0,30
0,36
0,48
0,60
0,72
0,90
1,20
1,60
2,40
3,60
3,60
0
500
1000
1500
2000
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
,
0 100 200 300 400 500 600 700 800
I
D
[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
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0,60
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2,002,002,00
2,00
2,00
0
100
200
300
400
500
600
700
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
R
thCA
K/W]
~
~
I
RMS
W 1C
0 100 200 300 400 500 600
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,12
0,16
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,40
2,00
3,00
0
500
1000
1500
2000
10 30 50 70 90 110
P
tot
[W]
T
A
[°C]
~
~
W 3C
~
~
I
RMS
~
~
~
~
W 3C
~
~
I
RMS
~
~
R
thCA
[K/W]
0 100 200 300 400 500 600
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

TT251N16KOFHPSA1

Mfr. #:
Buy TT251N16KOFHPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR Module 1600V 410A(RMS) 9100A 7-Pin Tray
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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