SFH 2302

SFH 2302
Schnelle PIN-Fotodiode
High Speed PIN-Photodiode
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
2007-04-27 1
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet für Anwendungen von 400nm
bis 1050nm
Sehr kurze Schaltzeit im spezifizierten
Wellenlängenbereich
Sehr kurze Schaltzeit bei geringer
Sperrspannung (<5V)
Extrem kurze Abklingzeit („slow tail“)
3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
Optische Laufwerke (CD, DVD)
Lichtschranken für Gleich- und Wechselbetrieb
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln“
•LWL
Abstandsmesser
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 2302
Q65110A6343
Features
Especially suitable for applications from 400nm
to 1050nm
Fast switching time within the specified
wavelength
Fast switching time at low reverse voltage
(<5V)
Ultra short decay time („slow tail“)
3 mm LED plastic package
Applications
Optical Disc Drives (CD, DVD)
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Fibre optic transmission systems
Range Finders
2007-04-27 2
SFH 2302
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40+ 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
15 V
Sperrspannung, t <120 s
Reverse voltage
V
R
20 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
150 mW
Elektrostatische Entladung
Electrostatic Discharge
Human Body Model according to EOS/ESD-5.1-1993
ESD 2 kV
Kennwerte (T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
min typ max
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
Spectral sensitivity of the chip
λ = 650nm
λ = 780nm
λ
S max
0.45
0.5
A/W
Fotostrom, V
R
= 5 V, E
e
= 0.5 mW/cm
2
Photocurrent
λ = 650nm
λ = 780nm
I
P
10
11
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
820 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ 400..1050 nm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L × B
L × W
0.6 × 0.6 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
2.42.8 mm
SFH 2302
2007-04-27 3
Halbwinkel
Half angle
ϕ ± 17 Grad
deg.
Dunkelstrom, V
R
= 5 V
Dark current
I
R
0.05 5 nA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent, 10% - 90%
V
R
= 5 V
, R
L
= 50
Ω; λ
= 650 nm;
I
p
= 1 mA
V
R
= 5 V, R
L
= 50 Ω; λ = 780 nm; I
p
= 1 mA
t
r
,
t
f
t
r
, t
f
1.8
2.0
ns
ns
Kapazität, f = 1 MHz, E = 0, V
R
= 0 V
Capacitance
C
0
3 5 pF
Temperaturkoeffizient von I
P
Temperature coefficient of I
P
λ = 650 nm
λ = 780 nm
TC
I
-0.03
-0.01
%/K
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
1)
Noise equivalent power, V
R
= 5 V, λ = 650 nm
8.9 × 10
-15
1)
Kennwerte (T
A
= 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
min typ max
W
Hz
------------
NEP 17,9
15
×10
I
R
S
λ
---------
×=

SFH 2302

Mfr. #:
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Photodiodes PHOTODIODE T1 (3mm)
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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