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D2601N90TXPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D2601N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 9.1
Seite/page 1/9
enndaten
Key Parameters
V
RRM
9000 V
I
FAVM
2200 A (T
C
=100 °C)
3570A (T
C
=55°C)
I
FSM
52000 A
V
T0
0,944 V
r
T
0,414 mΩ
R
thJC
7,5 K/kW
Clamping Force
36 … 52 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
26 mm
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Pulsed Power - Applikationen
Kurzschliesser Applikationen
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1 2
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D2601N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 9.1
Seite/page 2/9
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
8500
9000
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 100 °C
I
FRMSM
3460
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100 °C
T
C
= 85 °C
T
C
= 55 °C
I
FAVM
2200
2510
3040
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
52000
50000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
13500
12500
10³ A²s
10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 4000 A
v
F
typ.
max.
2,37
2,60
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
0,874
0,944
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
max.
0,374
0,414
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 500A i
F
5000A
O-state characteristic
T
vj
= T
vj max
typ.
A
0,707
B
0,000183
C
-0,05194
D
0,0215
max.
A
0,7
B
0,000194
C
-0,0504
D
0,02423
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
100
mA
prepared by:
TM
date of publication:
2014-06-01
approved by:
JP
revision:
9.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D2601N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 9.1
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 1µF, R = 22Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
max.
25
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 1µF, R = 22Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
I
RM
max.
400
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 1µF, R = 22Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
12,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 1µF, R = 22Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
I
RM
typ.
250
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
8,55
7,5
13,3
17,2
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
2,5
5,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
160
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Gewicht
weight
G
typ.
1200
g
Kriechstrecke
creepage distance
33
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
P1-P3P4-P6P7-P9

D2601N90TXPSA1

Mfr. #:
Buy D2601N90TXPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE GEN PURP 9KV 3040A
Lifecycle:
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