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2009-08-21
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR-Gehäuse
Version 1.0
SFH 4585
Features: Besondere Merkmale:
Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
SMR® (Surface Mount Radial) package SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse
Suitable for surface mounting (SMT) Für Oberflächenmontage geeignet
Available on tape and reel Gegurtet lieferbar
Same package as photodiode SFH 2500/SFH
2505
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/SFH 2505
High reliability Hohe Zuverlässigkeit
UL version available UL Version erltlich
Applications Anwendungen
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape
recorders, dimmers
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und
Videogeräten, Lichtdimmern
•Sensor technology •Sensorik
Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken
Discrete optocouplers Diskrete Optokoppler
Smoke detectors Rauchmelder
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0 SFH 4585
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4585 55 (̟ 25) Q65110A2631
Note: Measured at a solid angle of ǣ = 0.01 sr
Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel ǣ = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 100 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
5V
Forward current
Durchlassstrom
I
F
100 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
̞ 10 ǹs, D = 0)
I
FSM
2.5 A
Total power dissipation
Verlustleistung
P
tot
200 mW
Thermal resistance junction - ambient
1) page 13
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1) Seite 13
R
thJA
375 K / W
Version 1.0 SFH 4585
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Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ) Ǹ
peak
880 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ) ǎǸ 80 nm
Half angle
Halbwinkel
(typ) Ȅ ± 15 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
(typ) A 0.09 mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
(typ) L x W 0.3 x 0.3 mm x
mm
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
H 3.9 ... 4.5 mm
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 ǣ)
t
r
/ t
f
600 / 500 ns
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
(typ) C
0
15 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ (max)) V
F
1.5 (̞ 1.8) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 ǹs)
(typ (max)) V
F
3 (̞ 3.8) V
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
(typ (max)) I
R
0.01 (̞ 1) μA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ) Ǡ
e
25 mW
Temperature coefficient of I
e
or Ǡ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Ǡ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ) TC
I
-0.5 % / K

SFH 4585-Z

Mfr. #:
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Infrared Emitters GaAlAs 880 nm SMR HALF ANGLE +/-15DEG
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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