PHPT60603PYX Datasheet PHPT60603PYX | P7-P9

NXP Semiconductors

PHPT60603PY

60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Product data sheet 13 January 2014 6 / 15

10. Characteristics

Table 7. Characteristics

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit

V

CB

= -48 V; I

E

= 0 A; T

amb

= 25 °C - - -100 nAI

CBO

collector-base cut-off

current

V

CB

= -48 V; I

E

= 0 A; T

j

= 150 °C - - -50 µA

I

CES

collector-emitter cut-off

current

V

CE

= -48 V; V

BE

= 0 V; T

amb

= 25 °C - - -100 nA

I

EBO

emitter-base cut-off

current

V

EB

= -8 V; I

C

= 0 A; T

amb

= 25 °C - - -100 nA

V

CE

= -2 V; I

C

= -500 mA; T

amb

= 25 °C 150 250 -

V

CE

= -2 V; I

C

= -1 A; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C; pulsed

150 225 -

V

CE

= -2 V; I

C

= -2 A; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C; pulsed

80 130 -

h

FE

DC current gain

V

CE

= -2 V; I

C

= -3 A; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

35 75 -

I

C

= -1 A; I

B

= -50 mA; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- -100 -225 mVV

CEsat

collector-emitter

saturation voltage

I

C

= -3 A; I

B

= -300 mA; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C; pulsed

- -240 -360 mV

I

C

= -1 A; I

B

= -50 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- 100 225 mΩR

CEsat

collector-emitter

saturation resistance

I

C

= -3 A; I

B

= -300 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- 80 120 mΩ

I

C

= -1 A; I

B

= -50 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- -0.89 -1 VV

BEsat

base-emitter saturation

voltage

I

C

= -2 A; I

B

= -200 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- -1.02 -1.2 V

V

BEon

base-emitter turn-on

voltage

V

CE

= -2 V; I

C

= -0.1 A; T

amb

= 25 °C - -0.83 -0.9 V

t

d

delay time - 15 - ns

t

r

rise time - 85 - ns

t

on

turn-on time - 100 - ns

t

s

storage time - 350 - ns

t

f

fall time - 110 - ns

t

off

turn-off time

V

CC

= -12.5 V; I

C

= -1 A; I

Bon

= -50 mA;

I

Boff

= 50 mA; T

amb

= 25 °C

- 460 - ns

f

T

transition frequency V

CE

= -10 V; I

C

= -100 mA;

f = 100 MHz; T

amb

= 25 °C

- 110 - MHz

NXP Semiconductors

PHPT60603PY

60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Product data sheet 13 January 2014 7 / 15

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit

C

c

collector capacitance V

CB

= -10 V; I

E

= 0 A; i

e

= 0 A;

f = 1 MHz; T

amb

= 25 °C

- 60 - pF

aaa-010536

200

300

100

400

500

h

FE

0

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

(1)

(2)

(3)

V

CE

= −1 V

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 4. DC current gain as a function of collector

current; typical values

V

CE

(V)

0 542 31

aaa-010537

3.5

I

C

(A)

2.5

1.5

0.5

0

1.0

2.0

3.0

I

B

= -50 mA

-5

-10

-15

-20

-45

-40

-35

-30

-25

T

amb

= 25 °C

Fig. 5. Collector current as a function of collector-

emitter voltage; typical values

aaa-010539

0.4

0.8

1.2

V

BE

(V)

0

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

(1)

(2)

(3)

V

CE

= −2 V

(1) T

amb

= −55 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= 100 °C

Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector

current; typical values

aaa-010540

-0.6

-0.8

-0.4

-1.0

-1.2

V

BEsat

(V)

-0.2

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= −55 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= 100 °C

Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of

collector current; typical values

NXP Semiconductors

PHPT60603PY

60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Product data sheet 13 January 2014 8 / 15

aaa-010541

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

-2

-10

-1

-10

V

CEsat

(V)

-10

-3

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 8. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

aaa-010542

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

-2

-10

-1

-10

V

CEsat

(V)

-10

-3

(1)

(2)

(3)

T

amb

= 25 °C

(1) I

C

/I

B

= 50

(2) I

C

/I

B

= 20

(3) I

C

/I

B

= 10

Fig. 9. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

aaa-010543

1

10

-1

10

2

10

3

R

CEsat

(Ω)

10

-2

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 10. Collector-emitter saturation resistance as a

function of collector current; typical values

I

C

(mA)

-10

-1

-10

4

-10

3

-1 -10

2

-10

aaa-010544

1

10

-1

10

2

10

3

R

CEsat

(Ω)

10

-2

(1)

(2)

(3)

T

amb

= 25 °C

(1) I

C

/I

B

= 50

(2) I

C

/I

B

= 20

(3) I

C

/I

B

= 10

Fig. 11. Collector-emitter saturation resistance as a

function of collector current; typical values

PHPT60603PYX

PHPT60603PYX

Products related to this Datasheet