TSH110-TSH111-TSH112-TSH113-TSH114 Electrical characteristics
5/15
Table 4. Dual supply voltage, V
CC
=±6V, R
fb
(1)
= 680Ω, T
amb
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
DC performance
V
io
Input offset voltage
T
amb
-1.0 0.9 3.0 mV
T
min
< T
amb
< T
max
1.3 mV
ΔV
io
Input offset voltage drift vs temperature T
min
< T
amb
< T
max
5 μV/°C
I
ib+
Non inverting input bias current
T
amb
-12 1 14 μA
T
min
< T
amb
< T
max
1.7 μA
I
ib -
Inverting input bias current
T
amb
-4 3 10 μA
T
min
< T
amb
< T
max
3.4 μA
R
OL
Transimpedance R
L
=100Ω 600 900 kΩ
I
CC
Supply current per operator
T
amb
45mA
T
min
< T
amb
< T
max
4.1 mA
CMR
Common mode rejection ratio
(
ΔV
ic
/ΔV
io
)
58 63 dB
SVR
Supply voltage rejection ratio
(
ΔV
CC
/ΔV
io
)
72 80 dB
PSR
Power supply rejection ratio
(
ΔV
CC
/ΔV
out
)
Gain=1, R
load
=3.9kΩ 49 dB
Dynamic performance and output characteristics
V
oh
High level output voltage
T
amb
R
L
= 100Ω
4.5 4.7 V
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 100Ω
4.6 V
V
ol
Low level output voltage
T
amb
R
L
= 100Ω
-4.7 -4.3 V
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 100Ω
-4.6 V
| I
sink
| Output sink current T
min
< T
amb
< T
max
47 mA
I
source
Output source current T
min
< T
amb
< T
max
46 mA
Bw -3dB bandwidth
V
out
=1V
pk
, R
fb
(1)
=680Ω//2pF
Load=100Ω
A
VCL
=+2 100 MHz
SR Slew rate
A
VCL
=+2, 6V step
Load=100Ω
240 450 V/μs
T
r
Rise time
for 200mV step
A
VCL
=+2, R
fb
(1)
=680Ω//2pF
Load=100Ω
10.4 ns
T
f
Fall time 12.2 ns
Ov Overshoot 17 %
St Settling time @ 0.05% 40 ns
