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2010-12-15
OSRAM OSTAR Observation (850nm)
Version 1.0
SFH 4761
Features: Besondere Merkmale:
White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung
•4.3 W optical power at I
F
=1A 4.3 W optical power at I
F
=1A
Active chip area 2.1 x 5.4 mm
2
Aktive Chipfläche 2.1 x 5.4 mm
2
Max. DC-current 1 A Max. Gleichstrom 1 A
Low thermal resistance (2.8 K / W) Niedriger Wärmewiderstand (2.8 K / W)
ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001-2011
ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001-2011
The product qualification test plan is based on the
guidelines of AEC-Q101-REV-C, Stress Test
Qualification for Automotive Grade Discrete
Semiconductors.
Die Produktqualifikation wurde basierend auf der
Richtlinie AEC-Q101-REV-C, „Stress Test
Qualification for Automotive Grade Discrete
Semiconductors“, durchgeführt.
Applications Anwendungen
Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras
Surveillance systems Überwachungssysteme
Data transmission Datenübertragung
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0 SFH 4761
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (T
B
= 25 °C (Base plate temperature))
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 1 A, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4761 1400 (̟ 1120) Q65110A8758
Note: measured at a solid angle of ǣ = 0.01 sr.
Anm:: gemessen bei einem Raumwinkel ǣ = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 125 °C
Junction temperature
Sperrschichttemperatur
T
j
145 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
0.5 V
Forward current
Vorwärtsgleichstrom
(T
B
̞ 90 °C, Backside of the base plate)
I
F
1000 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
̞ 3 ms, D = 0)
I
FSM
5A
Power consumption
Leistungsaufnahme
(T
B
̞ 90 °C, Backside of the base plate)
P
tot
19 W
Thermal power-dissipation
Thermische Verlustleistung
(T
B
̞ 90 °C, Backside of the base plate)
P
th
14.7 W
Thermal resistance junction - base plate
Wärmewiderstand Sperrschicht - Bodenplatte
R
thJB
2.8 K / W
Version 1.0 SFH 4761
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Characteristics (T
B
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
Ǹ
peak
860 nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
Ǹ
centroid
850 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
ǎǸ 30 nm
Half angle
Halbwinkel
Ȅ ± 60 °
Dimensions of active chip area
1) page 9
Abmessungen der aktiven Chipfläche
1) Seite 9
L x W 2.1 x 5.4 mm x
mm
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 1 A, R
L
= 50 ǣ)
t
r
, t
f
10 ns
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 μs)
V
F
15.5 (̞ 19) V
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 1 A, t
p
= 20 ms)
Ǡ
e
4.3 W
Temperature coefficient of I
e
or Ǡ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Ǡ
e
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
I
-0.3 % / K
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
V
-10.0 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 1 A, t
p
= 10 ms)
TC
Ǹ
0.3 nm / K

SFH 4761

Mfr. #:
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Infrared Emitters - High Power IR, 850nm
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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