SFH 4301

SFH 4301
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 3 mm Radial-Gehäuse
High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package
2001-04-19 1
Wesentliche Merkmale
Hohe Pulsleistung und hoher Gesamt-
strahlungsfluß Φ
e
Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
Sehr hohe Langzeitstabilität
Hohe Zuverlässigkeit
Anwendungen
Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
Batteriebetriebene Geräte (geringe
Stromaufnahme)
Anwendungen mit hohen
Zuverlässigkeits-ansprüchen bzw.
erhöhten Anforderungen
Alarm- und Sicherungssysteme
IR Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4301 Q62702-P5166 3-mm-LED-Gehäuse (T1), schwarz eingefärbt,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennung: längerer Anschluß
3 mm LED package (T1), black-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
cathode marking: long lead
Features
High pulse power and high radiant flux Φ
e
Very short switching times (10 ns)
Very high long-time stability
High reliability
Applications
High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
Low power consumption (battery) equipment
Suitable for professional and high-reliability
applications
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
2001-04-19 2
SFH 4301
Grenzwerte (T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40 … + 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
(DC) 100 mA
Stoßstrom
Surge current
t
p
= 10 µs, D = 0
I
FSM
2.2 A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
180 mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
R
thJA
375 K/W
SFH 4301
2001-04-19 3
Kennwerte (T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
λ
peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of I
max
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
∆λ 40 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ± 10 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09 mm
2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L
× W
0.3 × 0.3 mm
Schaltzeiten, I
e
von 10% auf 90% und
von 90% auf 10%
Switching times, I
e
from 10% to 90% and
from 90% to 10%,
I
F
= 100 mA, t
P
= 20 ms, R
L
= 50
t
r
, t
f
10 ns
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
o
35 pF
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs
V
F
V
F
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.0)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
I
R
0.01 ( 10) µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
Φ
e
32 mW
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Φ
e
Temperature coefficient of I
e
or Φ
e
I
F
= 100 mA
TC
I
– 0.44 %/K

SFH 4301

Mfr. #:
Manufacturer:
Description:
EMITTER IR 950NM 100MA T-1
Lifecycle:
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