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TTB6C165N16LOFHOSA1

P1-P3P4-P6P7-P7
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 165 N 16
1)
(ISOPACK)
NB6
Elektrische Ei
g
enschaften / Electrical
p
ro
p
ertie
s
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DSM
1600 V
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
TRMSM
120 A
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 85°C
I
d
165 A
output current
T
C
= 70°C
208 A
T
A
= 45°C, KM 11
52 A
T
A
= 45°C, KM 33
72 A
T
A
= 35°C, KM 14 (V
L
= 45l/s)
135 A
T
A
= 35°C, KM 33 (V
L
= 90l/s)
160 A
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
I
TSM
1250 A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1050 A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
I²t 7800 A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
5500 A²s
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di/dt)
cr
120 A/µs
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 200A
v
T
max. 1,87 V
on-state voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,95 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
=T
vj max
r
T
3,2
mΩ
slope resistance
Zündstrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
I
GT
max. 150 mA
gate trigger current
Zündspannung
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
V
GT
max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
I
GD
max. 5,0 mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max. 2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5Ω I
H
max. 200 mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
≥ 20Ω I
L
max. 600 mA
latching current
i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs, t
g
= 10µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max. 10 mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK 165 N 16
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 A 18/05 Seite/page 1(6)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 165 N 16 (ISOPACK)
NB6
Elektrische Ei
g
enschaften / Electrical
p
ro
p
ertie
s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max. 1,2 µs
gate controlled delay time
T
vj
= 25°C, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 50A
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
d
VD
/dt = 20V/µs, -di
T
/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
typ. 190 µs
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3,0 kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6 kV
Thermische Ei
g
enschaften / Thermal
p
ro
p
ertie
s
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
R
thJC
max. 0,082 °C/W
thermal resistance, junction to case
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
max. 0,490 °C/W
pro Modul / per module, DC
max. 0,065 °C/W
pro Element / per chip, DC
max. 0,390 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max. 0,033 °C/W
thermal resistance, case to heatsink
pro Element / per chip
max. 0,200 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+130 °C
storage temperature
Mechanische Ei
g
enschaften / Mechanical
p
ro
p
ertie
s
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G
typ.
300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 2(6)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 3(6)
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TTB6C165N16LOFHOSA1

Mfr. #:
Buy TTB6C165N16LOFHOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 1.6KV 120A MODULE
Lifecycle:
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Payment:
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