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TZ860N16KOFHPSA2
P1-P3
P4-P6
P7-P9
P10-P11
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
Technische Information /
technical information
TZ860N16KOF
Date of Publication 20
17-02-
02
Revision:
3.
2
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Gehäusetemperatur bei Rechteck
0
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400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
P
TAV
[W]
I
TAV
[A
]
DC
180
rec
120
rec
90
rec
60
rec
Q
= 30
rec
180
sin
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
T
AV
= f(I
TAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction ang
le
Θ
20
40
60
80
100
120
140
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
T
C
[°
C]
I
TAVM
[A
]
DC
Q
= 30
rec
60
rec
90
rec
180
rec
180
sin
Q
= 30
rec
120
rec
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
Technische Information /
technical information
TZ860N16KOF
Date of Publication 20
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Revision:
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0,40
0,60
0,60
1,00
2,00
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
R
thCA
[K/W]
+
-
B2
I
D
~
0
500
1000
1500
2000
2500
I
D
[A]
L-Last
L-
load
R-Last
R-
load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated outp
ut current I
D
B2
- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
W
är
mewiderstand pro Element zw
ischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,06
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
1,00
2,00
2,00
2,00
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
,
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
I
D
[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated outp
ut current I
D
B6
- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
är
mewiderstand pro Element zw
ischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
Technische Information /
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17-02-
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Revision:
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2,00
2,00
2,00
0
500
1000
1500
2000
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
R
thCA
K/W]
~
~
I
RMS
W
1C
0
500
1000
1500
2000
2500
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W
1C
- Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
är
mewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,05
0,06
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
1,00
2,00
2,00
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
R
thCA
[K/W]
0
500
1000
1500
2000
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W
3C
- Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
är
mewiderstand pro Element zw
ischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
P1-P3
P4-P6
P7-P9
P10-P11
TZ860N16KOFHPSA2
Mfr. #:
Buy TZ860N16KOFHPSA2
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
THYRISTOR MODULE 1600V 860A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
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TNT
EMS
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