BPX 81
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
2007-03-30 1
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Computer-Blitzlichtgeräte
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Fotostrom , E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
BPX 81 Q62702P0020 > 0.25
BPX 81-2/3 Q62702P3583 0.25…0.80
BPX 81-3 Q62702P0043S0003 0.40…0.80
BPX 81-3/4 Q62702P3584 > 0.40
BPX 81-4 Q62702P0043S0004 > 0.63
Features
• Especially suitable for applications from
450
nm to 1100 nm
• High linearity
• One-digit array package of transparent epoxy
• Available in groups
Applications
• Computer-controlled flashes
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
