Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage t
vj
= -40°C...140°C V
RRM
4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C...140°C V
RSM
4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
FRMSM
2560 A
Dauergrenzstrom / mean forward current t
C
= 85°C I
FAVM
1380 A
t
C
= 52°C 1630 A
Stoßstrom-Grenzwert
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V I
FSM
A
surge forward current
t
vj
= 140°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V 23000 A
Grenzlastintegral t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V I²t A²s
I²t-value t
vj
= 140°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V 2650000 A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit I
FM
= 3000 A, V
R
= 0,67 V
DRM
(-di
F
/dt)
com
500 A/µs
critical repetitive rate of fall of on - state C
S
= 0,3 µF, R
S
= τ/C
S
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage t
c
= -25°C ... +85°C V
R(D)
typ. 2600 V
Durchlaßspannung / forward voltage t
vj
= 140°C, i
F
= 2500 A V
F
max 2,6 V
Schleusenspannung / threshold voltage t
vj
= 140°C V
(TO)
1,4 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance t
vj
= 140°C r
T
0,48 mΩ
Sperrstrom / reverse current t
vj
= 140°C, v
R
= 0,67 V
RRM
i
R
mA
t
vj
= 140°C, v
R
= V
RRM
max. 100 mA
Rückstromspitze / peak reverse recovery current i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/µs I
RM
max. 800 A
v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
Sperrverzögerungsladung i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/µs Q
rr
2800 µAs
recovered charge v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
Sanftheit i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/µs SR typ. 0,002 µAs
Softness v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,0125 K/W
Anoden / anode 0,0228 K/W
Kathode / cathode 0,0277 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,003K/W
einseitig / single-sided max. 0,006K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. t
vj
max 140 °C
Betriebstemperatur / operating temperature t
c
op -40...+140 °C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F 27...45 kN
Gewicht / weight G typ. 850 g
Luftstrecke / air distance 20 mm
Kriechstrecke / creepage distance 30 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
