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FF450R17ME3BOSA1

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF450R17ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
150
300
450
600
750
900
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=3.3Ω,R
Goff
=3.3Ω,V
CE
=900V
I
C
[A]
E [mJ]
0 150 300 450 600 750 900
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF450R17ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=450A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30
0
100
200
300
400
500
600
700
800
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1
0,001
0,01
0,1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,0055
0,01
2
0,0165
0,04
3
0,022
0,06
4
0,011
0,3
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=3.3Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
150
300
450
600
750
900
1050
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF450R17ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=3.3Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 150 300 450 600 750 900
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=450A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,01
0,01
2
0,03
0,04
3
0,04
0,06
4
0,02
0,3
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
T
C
[°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
R
typ
P1-P3P4-P6P7-P8

FF450R17ME3BOSA1

Mfr. #:
Buy FF450R17ME3BOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
MOD IGBT MED PWR ECONOD-3
Lifecycle:
New from this manufacturer.
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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