FF600R12KE3NOSA1 Datasheet FF600R12KE3NOSA1 | P1-P3

I

C, nom

600 A

I

C

850 A

min. typ. max.

- 1,7 2,15 V

- 2 t.b.d. V

-

nA -

5

gate emitter leakage current

Gate Emitter Reststrom

V

CE

= 0V, V

GE

= 20V, T

vj

= 25°C I

GES

V

GE(th)

C

ies

gate threshold voltage

V

R

= 0V, t

p

= 10ms, T

vj

= 125°C

Isolations Prüfspannung

Grenzlastintegral

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

Gateladung

V

GE

= -15V...+15V; V

CE=

...V Q

G

-

1200 A

V

nF43 -

5,8 - µC

t

p

= 1ms, T

c

= 80°C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

P

tot

1200

T

c

= 25°C; Transistor

repetitive peak collector current

I

CRM

DC forward current

+/- 20

2,8

V

GES

gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom

I

F

600

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor Emitter Sperrspannung

T

c

= 80°CKollektor Dauergleichstrom

collector emitter voltage

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

T

vj

= 25°C

T

c

= 25°CDC collector current

Periodischer Spitzenstrom

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung

V

CEsat

Charakteristische Werte / characteristic values

approved: SM TM; Christoph Lübke

Technische Information / technical information

FF600R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

1200 V

vorläufige Daten

preliminary data

repetitive peak forward current

kV

75 k A²s

t

p

= 1ms I

FRM

insulation test voltage

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t value

I²t

V

CES

A

5 5,8

2,5

V

ISOL

A

kW

V

6,5

date of publication: 2002-07-30

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

I

C

= 600A, V

GE

= 15V, T

vj

= 25°C,

collector emitter satration voltage

I

C

= 600A, V

GE

= 15V, T

vj

= 125°C,

Gate Schwellenspannung

I

C

= 24mA, V

CE

= V

GE

, T

vj

= 25°C,

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T

vj

= 25°C, V

CE

= 25V, V

GE

= 0V

revision: 2.0

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

C

res

collector emitter cut off current

I

CES

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

V

GE

= 0V, T

vj

= 25°C, V

CE

= 1200V

-

gate charge

mA -

nF - 2

f= 1MHz, T

vj

= 25°C, V

CE

= 25V, V

GE

= 0V

-

Kollektor Emitter Reststrom

- 400

1 (8)

DB_FF600R12KE3_2.0.xls

2002-07-30

Technische Information / technical information

FF600R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

vorläufige Daten

preliminary data

min. typ. max.

- 0,60 - µs

- 0,66 - µs

- 0,23 - µs

- 0,22 - µs

- 0,82 - µs

- 0,96 - µs

- 0,15 - µs

- 0,18 - µs

- 2,0 2,5 V

- 1,8 - V

-

170

-

A

-

265

-

A

-

25

-

µC

-

60

-

µC

-

6

-

mJ

-

17

-

mJ

A

I

SC

- 2400 -

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

Ausschaltverlustenergie pro Puls

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

- nH

stray inductance module

Modulindiktivität

L

sCE

- 20

turn off energy loss per pulse

SC data

V

CC

= 900V, V

CEmax

= V

CES

- L

sCE

· çdi/dtç

Kurzschlussverhalten

t

P

£ 10µs, V

GE

£ 15V, T

Vj

£ 125°C

0,18

Q

r

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E

rec

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 25°C

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 125°C

I

F

=I

C

,

nom

, -di

F

/dt= 2400A/µs

Sperrverzögerungsladung

recoverred charge

I

F

=I

C

,

nom

, -di

F

/dt= 2400A/µs

E

off

I

C

= 600A, V

CC

= 600V, L

s

= 120nH

V

GE

=±15V, R

Goff

=1,2W, T

vj

= 125°C

-

E

on

I

C

= 600A, V

CC

= 600V, L

s

= 120nH

V

GE

=±15V, R

Gon

=3,6W, T

vj

= 125°C

I

C

= 600A, V

CC

= 600V

t

d,off

V

GE

=±15V, R

Goff

=1,2W, T

vj

=25°C

V

GE

=±15V, R

Goff

=1,2W, T

vj

= 125°C

I

C

= 600A, V

CC

= 600V

V

GE

=±15V, R

Goff

=1,2W, T

vj

=25°C

V

GE

=±15V, R

Goff

=1,2W, T

vj

= 125°C

mW

Charakteristische Werte / characteristic values

- -

t

f

V

GE

=±15V, R

Gon

=3,6W, T

vj

=25°C

V

GE

=±15V, R

Gon

=3,6W, T

vj

= 125°C

-

t

d,on

I

C

= 600A, V

CC

= 600V

t

r

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 125°C

V

F

forward voltage

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I

RM

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

R

CC´/EE´

T

c

= 25°C

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 25°C

I

F

=I

C

,

nom

, -di

F

/dt= 2400A/µs

Durchlassspannung

Charakteristische Werte / characteristic values

I

F

= I

C, nom

, V

GE

= 0V, T

vj

= 25°C

I

F

= I

C, nom

, V

GE

= 0V, T

vj

= 125°C

Diode Wechselrichter / diode inverter

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

V

GE

=±15V, R

Gon

=3,6W, T

vj

= 125°C

I

C

= 600A, V

CC

= 600V

V

GE

=±15V, R

Gon

=3,6W, T

vj

=25°C

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 25°C

V

R

= 600V, V

GE

= -15V, T

v

j

= 125°C

- mJ

120

95

2 (8)

DB_FF600R12KE3_2.0.xls

2002-07-30

Technische Information / technical information

FF600R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

vorläufige Daten

preliminary data

min. typ. max.

R

thJC

- - 0,022 K/W

- - 0,044 K/W

--

0,040

K/W

- - 0,080 K/W

- 0,006 - K/W

- 0,012 - K/W

clearance

Luftstrecke

>400

mm

CTI

mm

creepage distance

T

vj op

pro Modul / per module

pro Zweig/ per arm;l

Paste

/l

grease

=1W/m*K

Kriechstrecke

operation temperature

Lagertemperatur

storage temperature

1,7 -

R

thCK

Al

2

O

3

17

10

-40 -

terminal connection torque

M

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse

Anschlüsse / terminal M4

Anschlüsse / terminal M8

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

M

mounting torque

case, see appendix

Gehäuse, siehe Anlage

internal insulation

Schraube / screw M5

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid

with the belonging technical notes.

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Nm4,25 - 5,75

Gewicht

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine

Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

125 °C

°C

T

stg

-40 - 125

°C150--

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

Thermische Ei

g

enschaften / thermal

p

ro

p

erties

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

Übergangs Wärmewiderstand

T

vj max

comperative tracking index

Innere Isolation

weight

Gg

2,3 Nm

10 Nm

1500

8-

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Transistor, DC, pro Modul / per module

Transistor, DC, pro Zweig / per arm

Diode/Diode, DC, pro Modul / per module

Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm

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2002-07-30

FF600R12KE3NOSA1

FF600R12KE3NOSA1

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