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LD 271 L

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P13
2007-04-04 1
200 7- 04- 0 4
GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.0
LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
Features: Besondere Merkmale:
• GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse
• Typical peak wavelength 950nm • Typische Peakwellenlänge 950nm
• High reliability • Hohe Zuverlässigkeit
• Available with two different lead lengths • Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar
• Version with stand-off available • Variante mit “stand-off” lieferbar
• Suitable for TTW soldering • TTW Löten geeignet
Applications Anwendungen
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape
recorders, dimmers
• IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und
Videogeräten, Lichtdimmern
•Sensor technology •Sensorik
• Discrete interrupters • Diskrete Lichtschranken
• Remote control • Gerätefernsteuerung
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2007-04-04 2
Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
LD 271 15 (≥ 10) Q62703Q0148
LD 271 H 24 (≥ 16) Q62703Q0256
LD 271 L 15 (≥ 10) Q62703Q0833
LD 271 LH 24 (≥ 16) Q62703Q0838
Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm:: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 100 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
5V
Forward current
Durchlassstrom
I
F
130 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤ 10 μs, D = 0)
I
FSM
3.5 A
Total power dissipation
Verlustleistung
P
tot
220 mW
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
R
thJA
330 K / W
Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
2007-04-04 3
Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
λ
peak
950 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Δλ 55 nm
Half angle
Halbwinkel
ϕ ± 25 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
A0.25mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 0.5 x 0.5 mm x
mm
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
H 4 ... 4.6 mm
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 Ω)
t
r
, t
f
1000 ns
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
C
0
40 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
V
F
1.3 (≤ 1.5) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 μs)
V
F
1.9 (≤ 2.5) V
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
I
R
0.01 (≤ 1) µA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Φ
e
18 mW
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P13

LD 271 L

Mfr. #:
Buy LD 271 L
Manufacturer:
OSRAM Opto Semiconductors
Description:
Infrared Emitters Infrared 950nm HALF ANGLE +/-25DEG
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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