OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

BC858W,135

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
2002 Feb 04 6
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC856W; BC857W; BC858W
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT715
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857BW; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
MGT716
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857BW; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
− 10
4
− 10
3
− 10
2
− 10
MGT717
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857BW; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT718
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857BW; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
2002 Feb 04 7
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC856W; BC857W; BC858W
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT719
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.10 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857CW; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
MGT720
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857CW; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
− 10
4
− 10
3
− 10
2
− 10
MGT721
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857CW; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT722
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857CW; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
2002 Feb 04 8
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC856W; BC857W; BC858W
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max
b
p
cD
E
e
1
H
E
L
p
Qwv
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC EIAJ
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
2.2
1.8
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.23
0.13
0.20.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT323 SC-70
w M
b
p
D
e
1
e
A
B
A
1
L
p
Q
detail X
c
H
E
E
v M
A
AB
y
0 1 2 mm
scale
A
X
12
3
Plastic surface mounted package; 3 leads SOT32
3
97-02-28
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

BC858W,135

Mfr. #:
Buy BC858W,135
Manufacturer:
Nexperia
Description:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet