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SFH 483 L/M E7800

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P10
2007-12-07 1
2007-12-07
GaAlAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.0
SFH 483 E7800
Features: Besondere Merkmale:
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode is electrically connected to the case • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• High reliability • Hohe Zuverlässigkeit
• Matches all Si-Photodetectors • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
• Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH
464
• Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH
464
• DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040
GQG
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
•Sensor technology •Sensorik
• Light curtains • Lichtgitter
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2007-12-07 2
Version 1.0 SFH 483 E7800
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (T
C
= 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 483 L/M E7800 2 (̟ 1) Q62703Q4755
Note: measured at a solid angle of ǣ = 0.01 sr
Anm:: gemessen bei einem Raumwinkel ǣ = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 80 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
5V
Forward current
Durchlassstrom
I
F
200 mA
Surge current
Stoßstrom
(t
p
̞ 10 ǹs, D = 0)
I
FSM
2.5 A
Total power dissipation
Verlustleistung
P
tot
470 mW
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
R
thJA
450 K / W
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
R
thJC
160 K / W
Version 1.0 SFH 483 E7800
2007-12-07 3
Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA)
Ǹ
peak
880 nm
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
ǎǸ 80 nm
Half angle
Halbwinkel
Ȅ ± 23 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
A0.16mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 0.4 x 0.4 mm x
mm
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
H 2.7 ... 2.9 mm
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 ǣ)
t
r
/ t
f
600 / 500 ns
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
C
0
25 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
V
F
1.5 (̞ 1.8) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 ǹs)
V
F
2.4 (̞ 3) V
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
I
R
0.01 (̞ 1) μA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Ǡ
e
23 mW
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P10

SFH 483 L/M E7800

Mfr. #:
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Manufacturer:
Description:
EMITTER IR 880NM 200MA TO-18
Lifecycle:
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