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FF600R17KE3NOSA1

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-02
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=2.4Ω,R
Goff
=3Ω,V
CE
=900V
I
C
[A]
E [mJ]
0 200 400 600 800 1000 1200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-02
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=600A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,1
1
10
100
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
11,9
0,02
2
11,9
0,06
3
6,8
0,1
4
3,4
0,3
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=3Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-02
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=2.4Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 200 400 600 800 1000 1200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=600A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10
1
10
100
1000
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
28
0,02
2
28
0,06
3
16
0,1
4
8
0,3
P1-P3P4-P6P7-P8

FF600R17KE3NOSA1

Mfr. #:
Buy FF600R17KE3NOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE 1700V 600A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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