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FF300R12KT4HOSA1

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12KT4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
100
200
300
400
500
600
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.8Ω,R
Goff
=1.8Ω,V
CE
=600V
I
C
[A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600
0
10
20
30
40
50
60
70
80
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12KT4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=300A,V
CE
=600V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,02418
0,01
2
0,02697
0,02
3
0,03022
0,05
4
0,01163
0,1
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=1.8Ω,T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12KT4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=1.8Ω,V
CE
=600V
I
F
[A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600
0
5
10
15
20
25
30
35
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=300A,V
CE
=600V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
0
4
8
12
16
20
24
28
32
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,039
0,01
2
0,0435
0,02
3
0,0487
0,05
4
0,0188
0,1
P1-P3P4-P6P7-P8

FF300R12KT4HOSA1

Mfr. #:
Buy FF300R12KT4HOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE 1200V 300A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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