FS150R12KE3BOSA1 Datasheet FS150R12KE3BOSA1 | P4-P6

4

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS150R12KE3

IGBT-Module

IGBT-modules

preparedby:MM

approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02

revision:3.1

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=125°C

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

V

GE

= 19V

V

GE

= 17V

V

GE

= 15V

V

GE

= 13V

V

GE

= 11V

V

GE

= 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)

transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

[V]

I

C

[A]

5 6 7 8 9 10 11 12

0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=2.4Ω,R

Goff

=2.4Ω,V

CE

=600V

I

C

[A]

E [mJ]

0 50 100 150 200 250 300

0

5

10

15

20

25

30

35

40

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS150R12KE3

IGBT-Module

IGBT-modules

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revision:3.1

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=150A,V

CE

=600V

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 2 4 6 8 10 12 14 16

0

5

10

15

20

25

30

35

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/W]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,01

0,1

1

Z

thJC

: IGBT

i:

r

i

[K/W]:

τ

i

[s]:

1

0,00341

0,0000119

2

0,01039

0,02364

3

0,09061

0,02601

4

0,07559

0,06499

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=2.4Ω,T

vj

=125°C

V

CE

[V]

I

C

[A]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

0

50

100

150

200

250

300

350

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

I

F

=f(V

F

)

V

F

[V]

I

F

[A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

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IGBT-modules

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revision:3.1

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=2.4Ω,V

CE

=600V

I

F

[A]

E [mJ]

0 50 100 150 200 250 300

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

E

rec

, T

vj

= 125°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(R

G

)

I

F

=150A,V

CE

=600V

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 2 4 6 8 10 12 14 16

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

E

rec

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/W]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,01

0,1

1

Z

thJC

: Diode

i:

r

i

[K/W]:

τ

i

[s]:

1

0,00643

0,0000119

2

0,01931

0,002364

3

0,17143

0,02601

4

0,14283

0,06499

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