OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

FF401R17KF6C_B2

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF401R17KF6C_B2
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:WB
approvedby:JM
dateofpublication:2014-09-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V
GE
= 8V
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
100
200
300
400
500
600
700
800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.8Ω,R
Goff
=3.6Ω,V
CE
=900V
I
C
[A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
100
200
300
400
500
600
700
800
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF401R17KF6C_B2
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:WB
approvedby:JM
dateofpublication:2014-09-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=400A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 4 8 12 16 20
0
100
200
300
400
500
600
700
800
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10 100
1
10
100
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
3,76
0,027
2
18,86
0,052
3
5,7
0,09
4
11,6
0,838
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=3.6Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
C
, Chip
I
C
, Modul
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF401R17KF6C_B2
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:WB
approvedby:JM
dateofpublication:2014-09-25
revision:2.2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=1.8Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
20
40
60
80
100
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=400A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 4 8 12 16 20
0
20
40
60
80
100
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10 100
1
10
100
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
31,39
0,0287
2
14,05
0,0705
3
4,477
0,153
4
18,08
0,988
P1-P3P4-P6P7-P8

FF401R17KF6C_B2

Mfr. #:
Buy FF401R17KF6C_B2
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT Modules N-CH 1.7KV 650A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet