PMBT3946YPN_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 12 May 2009 7 of 15
NXP Semiconductors
PMBT3946YPN
40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistor
V
CE
=1V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 4. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=1V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 5. TR1 (NPN): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 6. TR1 (NPN): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aab115
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0108462
006aab116
0.10
0.05
0.15
0.20
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = 5.0
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
4.0
006aab117
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aab118
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
0.5
0.9
1.3
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
