Table 8: Component-to-Module DQ Map, Back (Continued)
Component
Reference
Number
Component
DQ Module DQ
Module Pin
Number
Component
Reference
Number
Component
DQ Module DQ
Module Pin
Number
U32 0 54 224 U33 0 42 96
1 53 219 1 44 209
2 50 105 2 43 97
3 52 218 3 40 90
4 51 106 4 47 216
5 48 99 5 45 210
6 55 225 6 47 215
7 49 100 7 41 91
U34 0 35 88 U35 0 CB6 164
1 37 201 1 CB5 159
2 39 207 2 CB2 45
3 36 200 3 CB4 158
4 34 87 4 CB3 46
5 32 81 5 CB0 39
6 38 206 6 CB7 165
7 33 82 7 CB1 40
U36 0 30 155 U37 0 22 146
1 28 149 1 21 141
2 31 156 2 18 27
3 24 30 3 20 140
4 26 36 4 19 28
5 29 150 5 16 21
6 27 37 6 23 147
7 25 31 7 17 22
U38 0 14 137 U39 0 6 128
1 12 131
1 1 4
2 15 138
2 7 129
3 8 12
3 0 3
4 10 18
4 2 9
5 13 132
5 4 122
6 11 19
6 3 10
7 9 13
7 5 123
8GB, 16GB (x72, ECC, QR) 240-Pin 1.35V DDR3L RDIMM
DQ Map
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10
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U11
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U39
ZQ
ZQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U26
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U17
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U34
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U5
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U22
ZQ
ZQ
RS0#
RS1#
RS2#
RS3#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U12
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U38
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U7
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U30
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U18
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U33
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U9
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U28
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U13
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U37
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U2
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U25
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U19
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U32
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U6
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U21
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U14
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U36
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U8
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U29
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U20
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U31
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U10
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U27
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U15
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U35
ZQ
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM/ NF/ CS# DQS DQS#
TDQS TDQS#
U24
ZQ
ZQ
R
e
g
i
s
t
e
r
a
n
d
P
L
L
S0#
S1#
S2#
S3#
BA[2:0]
A[15/14:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
Par_In
RESET#
CK0
CK0#
RS0#: Rank 0
RS1#: Rank 1
RS2#: Rank 2
RS3#: Rank 3
RBA[2:0]: DDR3 SDRAM
RA[15/14:0]: DDR3 SDRAM
RRAS#: DDR3 SDRAM
RCAS#: DDR3 SDRAM
RWE#: DDR3 SDRAM
RCKE0: Rank 0, Rank 2
RCKE1: Rank 1, Rank 3
RODT0: Rank 0
RODT1: Rank 2
Err_Out#
U16
V
REFCA
V
SS
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
Control, command and
address termination
V
DDSPD
SPD EEPROM/
temperature sensor
V
TT
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
V
REFDQ
CK
CK#
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
Rank 0: U11–U15, U17–U20
Rank 1: U31–U39
Rank 2: U1–U3, U5–U10
Rank 3: U21, U22, U24–U30
RS#[3:0], RCKE[1:0], RA[15/14:0],
RRAS#, RCAS#, RWE#,
RODT[1:0], RBA[2:0]
CK
CK#
Command, control, address, and clock line terminations:
DDR3
SDRAM
V
TT
DDR3
SDRAM
V
DD
V
DD
U4
A0
SPD EEPROM/
temperature
sensor
A1 A2
SA0 SA1
SDA
SCL
EVT
EVENT#
DQS0
DQS0#
DM0/DQS9
NF/DQS9#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DQS1#
DM1/DQS10
NF/DQS10#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQS2#
DM2/DQS11
NF/DQS11#
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DQS3#
DM3/DQS12
NF/DQS12#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS8
DQS8#
DM8/DQS17
NF/DQS17#
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DQS4
DQS4#
DM4/DQS13
NF/DQS13#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DQS5#
DM5/DQS14
NF/DQS14#
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DQS6#
DM6/DQS15
NF/DQS15#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DQS7#
DM7/DQS16
NF/DQS16#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
Note:
1. The ZQ ball on each DDR3 component is connected to an external 240Ω ±1% resistor
that is tied to ground. It is used for the calibration of the component’s ODT and output
driver.
8GB, 16GB (x72, ECC, QR) 240-Pin 1.35V DDR3L RDIMM
Functional Block Diagram
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11
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
General Description
DDR3 SDRAM modules are high-speed, CMOS dynamic random access memory mod-
ules that use internally configured 8-bank DDR3 SDRAM devices. DDR3 SDRAM mod-
ules use DDR architecture to achieve high-speed operation. DDR3 architecture is essen-
tially an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words
per clock cycle at the I/O pins. A single read or write access for the DDR3 SDRAM mod-
ule effectively consists of a single 8n-bit-wide, one-clock-cycle data transfer at the inter-
nal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers
at the I/O pins.
DDR3 modules use two sets of differential signals: DQS, DQS# to capture data and CK
and CK# to capture commands, addresses, and control signals. Differential clocks and
data strobes ensure exceptional noise immunity for these signals and provide precise
crossing points to capture input signals.
Fly-By Topology
DDR3 modules use faster clock speeds than earlier DDR technologies, making signal
quality more important than ever. For improved signal quality, the clock, control, com-
mand, and address buses have been routed in a fly-by topology, where each clock, con-
trol, command, and address pin on each DRAM is connected to a single trace and ter-
minated (rather than a tree structure, where the termination is off the module near the
connector). Inherent to fly-by topology, the timing skew between the clock and DQS sig-
nals can be easily accounted for by using the write-leveling feature of DDR3.
Registering Clock Driver Operation
Registered DDR3 SDRAM modules use a registering clock driver device consisting of a
register and a phase-lock loop (PLL). The device complies with the JEDEC standard
"Definition of the SSTE32882 Registering Clock Driver with Parity and Quad Chip Se-
lects for DDR3 RDIMM Applications."
The register section of the registering clock driver latches command and address input
signals on the rising clock edge. The PLL section of the registering clock driver receives
and redrives the differential clock signals (CK, CK#) to the DDR3 SDRAM devices. The
register(s) and PLL reduce clock, control, command, and address signals loading by iso-
lating DRAM from the system controller.
Parity Operations
The registering clock driver includes an even parity function for checking parity. The
memory controller accepts a parity bit at the Par_In input and compares it with the data
received on A[15:0], BA[2:0], RAS#, CAS#, and WE#. Valid parity is defined as an even
number of ones (1s) across the address and command inputs (A[15:0], BA[2:0], RAS#,
CAS#, and WE#) combined with Par_In. Parity errors are flagged on Err_Out#.
Address and command parity is checked during all DRAM operations and during con-
trol word WRITE operations to the registering clock driver. For SDRAM operations, the
address is still propagated to the SDRAM even when there is a parity error. When writ-
ing to the internal control words of the registering clock driver, the write will be ignored
if parity is not valid. For this reason, systems must connect the Par_In pins on the
DIMM and provide correct parity when writing to the registering clock driver control
word configuration registers.
8GB, 16GB (x72, ECC, QR) 240-Pin 1.35V DDR3L RDIMM
General Description
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MT36KSF2G72PDZ-1G1D1

Mfr. #:
Manufacturer:
Micron
Description:
MODULE DDR3L SDRAM 16GB 240RDIMM
Lifecycle:
New from this manufacturer.
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