BC856S_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 19 February 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
BC856S
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 4. Per transistor: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 5. Per transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 6. Per transistor: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 7. Per transistor: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
006aab429
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
006aab430
−0.10
−0.05
−0.15
−0.20
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −5.0
−4.5
−4.0
−3.5
−3.0
−2.5
−2.0
−1.5
−1.0
−0.5
006aab431
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aab432
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)