NXP Semiconductors
PBHV8560Z
600 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
PBHV8560Z All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
Product data sheet 13 March 2015 7 / 13
aaa-013431
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
aaa-013432
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
10
-1
1
V
CEsat
(V)
10
-2
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
aaa-013433
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
10
-1
1
V
CEsat
(V)
10
-2
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 10
(2) I
C
/I
B
= 5
(3) I
C
/I
B
= 2.5
Fig. 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
aaa-013434
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
-1
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
