BC817-25QA_40QA All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 1 — 3 September 2013 8 of 15
NXP Semiconductors
BC817-25QA; BC817-40QA
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 55C
(2) T
amb
= 25 C
(3) T
amb
= 100 C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
= 25 C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 9. BC817-25QA: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. BC817-25QA: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 55C
(2) T
amb
= 25 C
(3) T
amb
= 100 C
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
= 25 C
(3) T
amb
= 55 C
Fig 11. BC817-25QA: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 12. BC817-40QA: DC current gain as a function of
collector current; typical values
9
%(
9
,
P$
006aaa135
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa138
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa133
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
