OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

BC337-16,126

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P15P16-P18P19-P20
BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 6 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Selection -16: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. Selection -25: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Selection -40: DC current gain as a function of collector current; typical values
006aaa131
200
100
300
400
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa132
400
200
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa133
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 7 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 4. Selection -16: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 5. Selection -25: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 6. Selection -40: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa134
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa135
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa136
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 8 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Selection -16: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 8. Selection -25: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 9. Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa137
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa138
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa139
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P15P16-P18P19-P20

BC337-16,126

Mfr. #:
Buy BC337-16,126
Manufacturer:
NXP Semiconductors
Description:
TRANS NPN 45V 0.5A TO92
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet