MT36HVZS1G72PZ-667C1

Pin Descriptions
The pin description table below is a comprehensive list of all possible pins for all DDR2
modules. All pins listed may not be supported on this module. See Pin Assignments for
information specific to this module.
Table 5: Pin Descriptions
Symbol Type Description
Ax Input
Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column ad-
dress and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments Table for density-specific
addressing information.
BAx Input
Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, and MR3) is loaded during the LOAD MODE command.
CKx,
CK#x
Input
Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.
CKEx Input
Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circui-
try and clocks on the DDR2 SDRAM.
DMx Input
Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data
is masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write ac-
cess. Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the
DQ and DQS pins.
ODTx Input
On-die termination: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) termi-
nation resistance internal to the DDR2 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input
will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.
Par_In Input
Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.
RAS#, CAS#, WE# Input
Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.
RESET# Input
Reset: Asynchronously forces all registered outputs LOW when RESET# is LOW. This
signal can be used during power-up to ensure that CKE is LOW and DQ are High-Z.
S#x Input
Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.
SAx Input
Serial address inputs: Used to configure the SPD EEPROM address range on the I
2
C
bus.
SCL Input
Serial clock for SPD EEPROM: Used to synchronize communication to and from the
SPD EEPROM on the I
2
C bus.
CBx I/O
Check bits. Used for system error detection and correction.
DQx I/O
Data input/output: Bidirectional data bus.
DQSx,
DQS#x
I/O
Data strobe: Travels with the DQ and is used to capture DQ at the DRAM or the con-
troller. Output with read data; input with write data for source synchronous opera-
tion. DQS# is only used when differential data strobe mode is enabled via the LOAD
MODE command.
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 VLP RDIMM
Pin Descriptions
PDF: 09005aef845bf514
hvzs36c1gx72pz.pdf - Rev. A 5/11 EN
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Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Table 5: Pin Descriptions (Continued)
Symbol Type Description
SDA I/O
Serial data: Used to transfer addresses and data into and out of the SPD EEPROM on
the I
2
C bus.
RDQSx,
RDQS#x
Output
Redundant data strobe (x8 devices only): RDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When RDQS is enabled, RDQS
is output with read data only and is ignored during write data. When RDQS is disa-
bled, RDQS becomes data mask (see DMx). RDQS# is only used when RDQS is enabled
and differential data strobe mode is enabled.
Err_Out# Output
(open drain)
Parity error output: Parity error found on the command and address bus.
V
DD
/V
DDQ
Supply
Power supply: 1.8V ±0.1V. The component V
DD
and V
DDQ
are connected to the mod-
ule V
DD
.
V
DDSPD
Supply
SPD EEPROM power supply: 1.7–3.6V.
V
REF
Supply
Reference voltage: V
DD
/2.
V
SS
Supply Ground.
NC
No connect: These pins are not connected on the module.
NF
No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.
NU
Not used: These pins are not used in specific module configurations/operations.
RFU
Reserved for future use.
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 VLP RDIMM
Pin Descriptions
PDF: 09005aef845bf514
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5
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Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ
DQ
DQ
DQ
U1b
U1t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ
DQ
DQ
DQ
U22b
U22t
DM CS# DQS DQS#
DQS0
DQS0#
DQS9
DQS9#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ
DQ
DQ
DQ
U2b
U2t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ
DQ
DQ
DQ
U21b
U21t
DM CS# DQS DQS#
DQS1
DQS1#
DQS10
DQS10#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ
DQ
DQ
DQ
U3b
U3t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ
DQ
DQ
DQ
U20b
U20t
DM CS# DQS DQS#
DQS2
DQS2#
DQS11
DQS11#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ
DQ
DQ
DQ
U4b
U4t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ
DQ
DQ
DQ
U19b
U19t
DM CS# DQS DQS#
DQS3
DQS3#
DQS12
DQS12#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ
DQ
DQ
DQ
U9b
U9t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ
DQ
DQ
DQ
U15b
U15t
DM CS# DQS DQS#
DQS4
DQS4#
DQS13
DQS13#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ
DQ
DQ
DQ
U10b
U10t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ
DQ
DQ
DQ
U14b
U14t
DM CS# DQS DQS#
DQS5
DQS5#
DQS14
DQS14#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ
DQ
DQ
DQ
U11b
U11t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ
DQ
DQ
DQ
U13b
U13t
DM CS# DQS DQS#
DQS6
DQS6#
DQS15
DQS15#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ
DQ
DQ
DQ
U8b
U8t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ
DQ
DQ
DQ
U16b
U16t
DM CS# DQS DQS#
DQS7
DQS7#
DQS16
DQS16#
A0
SPD EEPROM
A1
A2
SA0 SA1
SA2
SDASCL
WP
R
e
g
i
s
t
e
r
s
PLL
S0#
S1#
BA[2:0]
A[15:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
Par_In
RESET#
RS0#: Rank 0
RS1#: Rank 1
RBA[2:0]: DDR2 SDRAM
RA[14/13:0]: DDR2 SDRAM
RRAS#: DDR2 SDRAM
RCAS#: DDR2 SDRAM
RWE#: DDR2 SDRAM
RCKE0: Rank 0
RCKE1: Rank 1
RODT0: Rank 0
RODT1: Rank 1
Err_Out#
CK0
CK0#
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
Register x 2
RESET#
U6
V
REF
V
SS
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
V
DD
/V
DDQ
SPD EEPROM
DDR2 SDRAM
U7, U17
U12
V
SS
RS0#
RS1#
CB0
CB1
CB2
CB3
U5b
U5t
CB4
CB5
CB6
CB7
U18b
DQS8
DQS8#
DQS17
DQS17#
U18t
Rank 0 = U1b–U5b, U8b–U11b, U13b–U16b, U18b–U22b
Rank 1 = U1t–U5t, U8t–U11t, U13t–U16t, U18t–U22t
V
SS
V
DDSPD
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 VLP RDIMM
Functional Block Diagram
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MT36HVZS1G72PZ-667C1

Mfr. #:
Manufacturer:
Micron
Description:
MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240RDIMM
Lifecycle:
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